O tempo de acesso destas novas memórias é de apenas 20 ns, podem ser escritas e lidas infinitas vezes e conseguem reter os dados por 20 anos. São perfeitamente adequadas para as aplicações que necessitem de ler e escrever constantemente os seus dados em memórias não voláteis, como por exemplo servidores, aplicações de múltiplos discos rígidos RAID, sistemas de controlo industrial, etc.
A CY14B102 2-MBit nvSRAM e a CY14B108 8-MBit nvSRAM cumprem a norma RoHS e podem substituir directamente as memórias SRAM, SRAM com baterias, EPROM e EEPROM, proporcionando uma memória não volátil sem a utilização de baterias para a retenção de dados.
A transferência dos dados para a memória não volátil é feita automaticamente, quando o dispositivo deixa de ser alimentado. Durante o arranque, os dados voltam a ser colocados na memória SRAM. Ambas as operações podem ser controladas por software. São construídas utilizando a tecnologia SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon) de 0,13 µm da Cypress que permite grandes densidades e melhores tempos de acesso.
Estas versões contam com um sistema de relógio em tempo real com o menor consumo de corrente do mercado e que permite o registo da data de gravação.
As memórias nvSRAM são a melhor alternativa para memórias não voláteis, ocupando muito menos espaço que as memórias SRAM com bateria e muito mais económicas e fiáveis do que as memórias magnéticas.
Estas memórias estarão disponíveis em encapsulamentos FBGA de 48 pinos e TSOPII de 44 e 54 pinos.
Artigos Informativos
Esqueceu a sua password??
)
